西安电子科技大学科研团队攻克芯片散热世界难题

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据西安电子科技大学网站消息，日前，中国科学院院士、西安电子科技大学教授郝跃团队打破了20年的半导体材料技术瓶颈，让芯片散热效率与综合性能得到了飞跃性提升，为解决各类半导体材料高质量集成提供了可复制的中国范式。相关成果已发表在《自然-通讯》与《科学进展》。

团队创新性地开发出“离子注入诱导成核"技术，将原来随机、不均匀的生长过程，转变为精准、可控的均匀生长。（剩余279字）

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