不同偏压下半导体器件能带图的绘制研究

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摘要：能带图在半导体物理与器件的学习中占据重要地位。深入分析PN（PN Junction）结在零偏、正偏和反偏电压下能带图的区别与联系，得到PN结能带图绘制的一般规律，并推广这个一般规律。把金半（Metal Semiconductor，MS）接触结构当作PN结的特例直接套用PN结中总结的规律，得到MS结构的能带图。（剩余4453字）

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