基于工况模拟的n型TOPCon光伏组件UVID研究

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中图分类号：TM914 文献标志码：A

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晶体硅光伏组件紫外诱导衰减（ultraviolet-induceddegradation，UVID）通常在并网运行的前几年内发生，并最终达到一个饱和状态，特别是近年快速发展的n型电池，如隧穿氧化层钝化接触电池（tunneloxidepassivatedcontact，TOPCon）、本征薄膜异质结电池（heterojunctionwithintrinsicthin-layer，HJT）和背接触技术平台电池（Xbackcontact，XBC）的UVID特性成为光伏领域的研究的热点。（剩余16276字）