基于栅极电流的多芯片IGBT模块芯片支路失效监测方法

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中图分类号：TM464 文献标志码：A

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随着新能源领域对电力电子设备需求的快速增长，设备运行安全的重要性愈加凸显[1]。在光伏、风电和电动汽车领域，电力电子装置失效导致系统故障的比例分别高达 38% 、37% 和 25%[2] ，这显著增加了停机频率和维护成本。绝缘栅双极型晶体管（insulated gatebipolar transistor，IGBT）模块是电力电子装置的核心组件，其可靠性会对电力电子装置的性能产生直接影响。（剩余19619字）

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