FFKM密封圈在PECVD设备中耐等离子体性能与寿命研究

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中图分类号：TN305

文献标志码：A

等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术借射频电源激发工艺气体产生等离子体，在晶圆表面沉积氮化硅、二氧化硅等薄膜。该工艺环境极端严苛：等离子体温度可达 200∘C 以上，含氟/氯刻蚀气体（如 NF3 、 Cl2 ）活性极高，且伴随强物理轰击效应。密封圈作为反应腔室的关键组件，其失效将直接导致真空泄漏、颗粒污染及工艺气体交叉污染，造成晶圆良率下降。（剩余5036字）

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