MOCVD冷却通道换热及优化研究

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中图分类号：TN31文献标志码：A

高质量、高铝（Al）组分的氮化铝镓（AlGaN）和氮化铝（AIN）材料具有带隙宽、耐辐射以及耐高温等特点，是第三代半导体材料的核心，其广泛用于制备半导体发光器件和功率器件[1-4]。金属有机化学气相沉积（Metal-organic ChemicalVaporDeposition，MOCVD）是制备上述材料的关键。（剩余4306字）

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