SiCMOSFETs在温度冲击试验中的失效原因研究

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主题词：SiCMOSFETs 温度冲击 失效分析 分层

中图分类号：TN386 文献标志码：A DOI：10.19620/j.cnki.1000-3703.20250372

InvestigationofFailure Mechanismsin SiC MOSFETsunder Temperature Shock Testing

Zhu Shuaishuai123， Zhou Xin 1，2，3 ， Chen Jie ⋅1，2，3 ，Han Song1，2，3

（1.StateKeyLaboratoryofIntellgent VehicleSafetyTechnology，Chongqing 401122;2.ChinaAutomotiveEngineering

Research Institute Co.，Ltd.， Chongqing 401122; 3.China AutomobileResearch Institute （Jiangsu）AutomotiveEngieering Research Institute Company Limited，Suzhou 215129）

【Abstract】Regarding failure cases of Silicon CarbideMetal-Oxide-Semiconductor Field-Efect Transistors （SiC MOSFETs）during thermal shock testing，failure defectsand causes are analyzed through electrical testing，ultrasonic scaning microscopy，super-depththree-dimensionalmicroscopy，scanning electronmicroscopy，andothermethods.Coresponding solutionsareprovided，whichholdvalueforenhancigthereliabilityofSiCMOSFETsandensuringstableoperatioofthefull vehicle.

Keywords：SiCMOsFETs，Temperature shock，Failureanalysis，Delamination【引用格式】朱帅帅，周昕，陈杰，等.SiC MOSFETs在温度冲击试验中的失效原因研究[J].汽车技术，2026（2）：13-17.ZHUSS，ZHOUX，CHENJ，etal.InvestigationofFailureMechanismsinSiCMOSFETsunderTemperatureShockTesting[J]. Automobile Technology，2026（2）： 13-17.

1前言

硅（Si）基半导体器件具有制造工艺成熟、适用性强等优势，已成为当前电力电子领域的主流选择。（剩余6377字）