铝加热盘氟化层厚度对PECVD设备和工艺的影响

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中图分类号：TN305 文献标志码：A

PECVD具有沉积温度低、沉积速率高、薄膜均匀性和致密性好的优点，因此广泛应用于氮化硅（ SiNx ）、氧化硅（ SiO2 ）等多材料介质薄膜的制备。全新的PECVD设备在进行工艺前，为了使反应腔腔室内环境稳定，减少异常放电现象和颗粒污染，需要先对腔室内及铝加热盘进行首次氟化处理，使其表面产生一层薄薄的氟化层。（剩余6029字）

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