第三代半导体材料氮化镓的拉曼光谱分析

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摘要：第三代半导体材料中氮化镓是高频电子器件、大功率电子器件和微波功率器件制造领域的首选材料。为了实现高质量氮化镓材料的外延生长，并且精准表征氮化镓外延材料的特性，文章对氮化镓外延材料进行了深入的拉曼光谱分析。实验结果表明，对氮化镓外延材料进行拉曼光谱分析时最佳扫描范围是100～1 000 cm-1、最佳曝光时间是5 s、最佳光孔直径为100 μm，从而更精准地表征氮化镓外延材料，进而对微波功率器件的性能提升起到推动作用。（剩余4521字）

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