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中图分类号：TN386 文献标志码：A 文章编号：2095-2945（2026）04-0049-05
随着工业发展，高温工作环境越来越多，芯片的稳定性显得越发重要，而普通硅基器件，能承受的工作温度通常在 150∘C 以下。但在高温中，由于Si材料的限制，会造成阈值电压漂移、漏电流增加等后果，增加失效风险。（剩余3832字）
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一种新型4H-SiCMOSFET器件设计与研究
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