PECVD反应腔内置辅助加热对氮化硅膜沉积的影响

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【摘  要】典型加热方式的反应腔已逐漸难以满足硅片尺寸增大、装片量要求增多情况下的生产需要，论文提出在反应腔中内置辅助加热装置，并进行对比实验分析其对工艺的影响。实验结果显示，辅助加热装置在缩短升温时间、提升设备产能的情况下，得到更优氮化硅成膜均匀性指标，特别是对片间均匀性有较为明显的提升作用。（剩余4515字）

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