基于双重噪声抵消的宽带低噪声放大器设计

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摘 要：为了打破传统噪声抵消低噪声放大器（Low Noise Amplifier，LNA）中噪声系数和功耗无法平衡的矛盾，本文采用中芯国际SMIC 65 nm工艺设计了一款0.2～6 GHz的宽带LNA。该低噪声放大器采用双重噪声抵消结构，可以在功耗较低的情况下有效降低放大器的噪声系数，并使用互补晶体管的方式进一步降低静态功耗。（剩余6906字）

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