逐层原位生长二维二硫化钼/一维酞菁铜异质结及其气敏性能研究

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摘 要：首次采用逐层原位生长法制备了二维硫化钼/一维酞菁铜（2D-MoS2/1D-CuPc）异质结材料，并系统研究了其气敏特性。通过XRD、XPS、SEM、EDS和FTIR等表征手段证实，CuPc已成功复合于MoS2表面。气敏测试结果表明，A1、A2和A3传感器对氨气（NH3）、丙酮（C3H6O）、甲醛（CH2O）的响应与CuPc原位生长次数、加热区距离等因素密切相关，且气敏性能随着生长次数的增加呈现先升高后降低的变化趋势。（剩余14332字）

试读结束

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