基于TCAD仿真的二维α-In2Se3铁电场效应晶体管性能研究

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摘 要：为揭示参数优化对二维α-In2Se3铁电场效应晶体管（FeFET）性能的调控规律，通过Silvaco TCAD软件对器件进行系统性仿真研究，对比分析了MFIS与MIFIS两种结构器件的非易失性存储（NVW）性能差异。实验结果表明，提升栅压可显著扩大存储窗口宽度；漏压降低至0.1 V时，器件关态电流降幅达50%；双介电层MIFIS结构通过优化电场分布，开关比优于单介电层MFIS结构器件。（剩余12276字）

试读结束

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