集成异质结二极管的4H-SiC半超结MOSFET

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摘 要：为改善碳化硅（SiC）超结MOSFET体二极管的反向恢复特性并降低开关损耗，提出一种集成异质结二极管的超结MOSFET（SJH-MOSFET）新结构。该结构在栅槽底部引入与源极短接的P+多晶硅，与4H-SiC漂移区构成异质结续流二极管；同时增设P+屏蔽层并采用半超结设计以优化电场。基于TCAD的仿真对比分析表明，相较于传统双沟槽结构，新器件的击穿电压提升18.4%至1710 V，比导通电阻降低12.1%至1.45 mΩ·cm2。（剩余10798字）

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