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摘要:为了提高Pt/Pb2rO3/Pt电介质电容器的储能密度,通过热蒸镀和自然氧化方法在Pt/Ti/Si02/Si基板上沉积了厚度为0-10nm的Al2O3(AO)层,采用化学溶液沉积法制备Pb2rO3薄膜,研究了Al2O3层厚度对PbZrO/Al2O3(PZO/AO)异质结薄膜储能性能的影响。结果表明:随着AO层厚度的增加,PZO/AO异质结薄膜的击穿电场强度逐渐增大,极化-电场电滞回线由反铁电特征转变为铁电特征。(剩余4400字)
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Al2O3层厚度对Pb2rO3/Al2O3异质结薄膜储能性能的影响
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