纳米划擦速度对单晶硅去除行为的影响

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摘要  单晶硅作为典型的硬脆材料在不同的划擦速度下会有不同的应变率，进而产生不同的材料去除行为，采用分子动力学从应变率角度研究不同划擦速度下材料的变形与去除过程。结果表明：划擦过程中随划擦速度由25 m/s增加到250 m/s，单晶硅的应变率从1.25 × 1010s−1提高至1.25 × 1011s−1，其划擦力、剪切应力和摩擦系数减小，划擦温度升高，且划擦表面的轮廓精度和粗糙度随划擦速度的增大而改善。（剩余10781字）

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