氮化镓半导体材料研究与应用现状

打开文本图片集

电力电子、新能源、电动汽车、5G通讯、高速轨道列车、能源互联网和智能工业等领域的兴起，对功率器件的性能提出了越来越高的要求。但传统硅（Si）器件已达到材料的物理极限，无法满足当前应用场景的需求。作为第3代半导体材料的典型代表，氮化镓（GaN）在1928年由Johason等人首次成功制备，在一个大气压下，其晶体一般呈六方纤锌矿结构，其化学性质稳定，具有宽带隙（3.39eV）、高击穿电压（3×106V/cm）、高电子迁移率（25℃，1000cm2/V·s）、高异质结面电荷密度（1×1013cm-2）等诸多良好的电化学特性，相对于第1代半导体材料Si和第2代半导体材料砷化镓（GaAs）器件而言，GaN器件可以在更高频率、更高功率、更高温度的情况下工作[1-3]，因而被认为是制备高温、高频、大功率器件的首选材料之一。（剩余5160字）

网站仅支持在线阅读（不支持PDF下载），如需保存文章，可以选择【打印】保存。