第3代半导体碳化硅功率器件用高导热氮化硅陶瓷基板最新进展

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第3代半导体一般指禁带宽度大于2.2eV的半导体材料，也称为宽禁带半导体材料。半导体产业发展大致分为3个阶段，以硅（Si）为代表的通常称为第1代半导体材料；以砷化镓为代表的称为第2代半导体材料，已得到广泛应用；而以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石等宽禁带为代表的第3代半导体材料，由于其较第1代、第2代材料具有明显的优势，近年来得到了快速发展。（剩余7596字）

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