大力发展第3代半导体产业助力实现“双碳”目标

以碳化硅、氮化镓等为代表的宽禁带半导体材料被称为“第3代半导体材料”，因具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力，更适合于制作高温、高频、大功率及抗辐射器件，可廣泛应用在高压、高频、高温以及高可靠性等领域，包括射频通信、雷达、卫星、电源管理、汽车电子、工业电力电子等。（剩余596字）

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