原位负载稀土镜对氮化硅陶瓷烧结性能的影响

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中图分类号：TB44；TQ170

文献标志码：A

随着半导体技术的快速发展，以SiC和GaN为代表的第三代半导体材料应运而生，推动了功率模块向小型化、高电压、大电流方向发展。这种发展趋势也带来了显著的热量积累问题，对功率器件的散热封装提出了更为严苛的要求。在众多电子封装材料中， Si3N4 陶瓷因具有优异的综合性能而备受关注。（剩余15686字）

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